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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.784455 +10：￥0.724112 +30：￥0.712049 +100：￥0.675846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 下载数据手册射频晶体管	+5：￥1.006729 +50：￥0.884891 +150：￥0.832658 +500：￥0.767531 +3000：￥0.738574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.608267	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG6968UDM-7 授权代理品牌	DMG6968UDM-7 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.589 +50：￥0.569321 +200：￥0.544779 +3000：￥0.530077	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.128429 +6000：￥1.071077 +9000：￥0.994535 +30000：￥0.971595 +75000：￥0.94685	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.949922 +6000：￥1.850818 +9000：￥1.718555 +30000：￥1.678913 +75000：￥1.636153	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.73433 +10：￥4.948976 +100：￥3.436859 +500：￥2.683667 +1000：￥2.181289	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26
	DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.73433 +10：￥4.948976 +100：￥3.436859 +500：￥2.683667 +1000：￥2.181289	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 下载数据手册未分类	+1：￥7.29073 +10：￥6.292217 +100：￥4.374439 +500：￥3.423473 +1000：￥2.773648	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG6968UDM-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N 沟道（双）共漏
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.8nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	143pF 10V
功率 - 最大值:	850mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6
供应商器件封装:	SOT-26
温度:	-55°C # 150°C（TJ）