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	DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.880582 +10：￥1.598531 +30：￥1.316359 +100：￥1.081377 +500：￥0.940291	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 65.9pF 25V 功率 - 最大值： 390mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： X2-DFN1310-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.617828 +10：￥0.543959 +30：￥0.532376 +100：￥0.514784	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 65.9pF 25V 功率 - 最大值： 390mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： X2-DFN1310-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.318835 +100：￥0.299475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 65.9pF 25V 功率 - 最大值： 390mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： X2-DFN1310-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 65.9pF 25V 功率 - 最大值： 390mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： X2-DFN1310-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.612215	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 65.9pF 25V 功率 - 最大值： 390mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： X2-DFN1310-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.497642	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 65.9pF 25V 功率 - 最大值： 390mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： X2-DFN1310-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.758067 +10：￥5.075176 +100：￥3.161716 +500：￥2.163377 +1000：￥1.664075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-XFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： X2-DFN1310-6 (Type B)
	DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.758067 +10：￥5.075176 +100：￥3.161716 +500：￥2.163377 +1000：￥1.664075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-XFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： X2-DFN1310-6 (Type B)

Mouser

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	DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 下载数据手册晶体管	+1：￥6.830187 +10：￥5.231923 +100：￥3.26483 +500：￥2.240301 +1000：￥1.721207	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 65.9pF 25V 功率 - 最大值： 390mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： X2-DFN1310-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMC3730UFL3-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道互补型
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.1A，700mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	460 毫欧 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	950mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.9nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	65.9pF 25V
功率 - 最大值:	390mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	X2-DFN1310-6（B 类）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）