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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+10：￥3.801094 +200：￥2.570524 +800：￥1.886874 +3000：￥1.3673 +6000：￥1.298935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+5：￥2.843258 +50：￥2.416733 +150：￥1.990329 +500：￥1.634831 +3000：￥1.421629	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.096018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3135LVT-7 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	DMN3135LVT-7 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.965877 +1000：￥0.821797	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 下载数据手册未分类	+1：￥1.403283 +100：￥1.299254 +500：￥1.226529	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 下载数据手册未分类	+3000：￥1.306824 +6000：￥1.272748 +9000：￥1.249957 +15000：￥1.128849 +18000：￥1.068965	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 下载数据手册未分类	+30：￥4.689125 +100：￥3.510671 +500：￥2.761903 +1000：￥2.135919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3135LVT-7 授权代理品牌	DMN3135LVT-7 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥1.125212 +6000：￥1.076823 +9000：￥1.02936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.431013 +500：￥2.333772 +3000：￥2.25598 +10000：￥2.197635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.864522 +6000：￥0.820542 +9000：￥0.761962 +30000：￥0.747593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3135LVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	60 毫欧 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.1nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	305pF 15V
功率 - 最大值:	840mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23
温度:	-55°C # 150°C（TJ）