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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMN3035LWN-7_射频晶体管
DMN3035LWN-7
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

射频晶体管

+10:

¥1.91422

+200:

¥1.431672

+800:

¥1.109933

+3000:

¥0.804287

+15000:

¥0.723822

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 4.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 399pF 15V

功率 - 最大值: 770mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: V-DFN3020-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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DMN3035LWN-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

射频晶体管

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¥2.364421

+6000:

¥2.135615

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¥1.983031

+30000:

¥1.93727

+75000:

¥1.876207

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 4.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 399pF 15V

功率 - 最大值: 770mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: V-DFN3020-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMN3035LWN-7_射频晶体管
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射频晶体管

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¥6.658745

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¥5.338331

+100:

¥3.965496

+250:

¥3.768

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: V-DFN3020-8

DMN3035LWN-7_射频晶体管
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系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: V-DFN3020-8

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DMN3035LWN-7
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晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 4.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 399pF 15V

功率 - 最大值: 770mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: V-DFN3020-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMN3035LWN-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 4.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.9nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 399pF 15V
功率 - 最大值: 770mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: V-DFN3020-8
温度: -55°C # 150°C(TJ)