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DMP56D0UV-7_射频晶体管
DMP56D0UV-7
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

射频晶体管

+10:

¥2.01828

+200:

¥1.36488

+800:

¥1.00188

+3000:

¥0.726

+6000:

¥0.6897

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6Ohm 100mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.58nC 4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50.54pF 25V

功率 - 最大值: 400mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C (TJ)

DMP56D0UV-7_射频晶体管
DMP56D0UV-7
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

射频晶体管

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¥1.533312

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¥1.27776

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6Ohm 100mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.58nC 4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50.54pF 25V

功率 - 最大值: 400mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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DMP56D0UV-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

射频晶体管

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¥0.616095

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¥0.581909

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6Ohm 100mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.58nC 4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50.54pF 25V

功率 - 最大值: 400mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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DMP56D0UV-7_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

射频晶体管

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¥1.507132

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¥1.423502

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货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6Ohm 100mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.58nC 4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50.54pF 25V

功率 - 最大值: 400mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

射频晶体管

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¥6.73173

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¥5.113525

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¥3.182037

+500:

¥2.176939

+1000:

¥1.674648

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

DMP56D0UV-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

射频晶体管

+1:

¥6.73173

+10:

¥5.113525

+100:

¥3.182037

+500:

¥2.176939

+1000:

¥1.674648

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

Mouser
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DMP56D0UV-7_未分类
DMP56D0UV-7
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

未分类

+1:

¥7.094335

+10:

¥5.388966

+100:

¥3.356166

+500:

¥2.305659

+1000:

¥1.773584

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6Ohm 100mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.58nC 4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50.54pF 25V

功率 - 最大值: 400mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C (TJ)

DMP56D0UV-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 P-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6Ohm 100mA, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.58nC 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50.54pF 25V
功率 - 最大值: 400mW
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SOT-563, SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: -55°C # 150°C (TJ)