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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3071LFR4-7R Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.221858 +200：￥0.91234 +800：￥0.709181 +3000：￥0.515823 +6000：￥0.489929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3071LFR4-7R Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.531329 +6000：￥0.480734 +9000：￥0.454907 +15000：￥0.425888 +21000：￥0.40869	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3071LFR4-7R Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.29977 +6000：￥1.176004 +9000：￥1.11282 +15000：￥1.041837 +21000：￥0.999765	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3071LFR4-7R Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥5.969862 +10：￥4.593477 +100：￥2.852269 +1000：￥1.492466 +3000：￥1.260306	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3071LFR4-7R Diodes Zetex 授权代理品牌	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 下载数据手册未分类	+3000：￥0.987483 +6000：￥0.978198 +9000：￥0.967363 +12000：￥0.958077 +15000：￥0.94879	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN3071LFR4-7R参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	65 毫欧 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	190 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X2-DFN1010-3
封装/外壳:	3-XFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）