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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2058U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.495894 +10：￥0.457748 +30：￥0.450118 +100：￥0.42723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 281 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.13W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN2058U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.776336 +100：￥0.525019 +800：￥0.385385 +3000：￥0.279268 +6000：￥0.265353	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 281 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.13W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN2058U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.91718 +100：￥0.611413 +300：￥0.509531	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 281 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.13W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN2058U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 下载数据手册未分类	+10：￥0.374666 +100：￥0.332749 +300：￥0.311791 +3000：￥0.286396 +6000：￥0.27382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 281 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.13W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN2058U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.272734	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 281 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.13W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN2058U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.494711	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 281 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.13W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN2058U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.210194	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 281 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.13W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN2058U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥1.213436	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.13W Vgs(th) (Max) @ Id： 1.2V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 10V Vgs (Max)： ±12V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 281 pF @ 10 V
DMN2058U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥5.429241 +10：￥4.11265 +100：￥2.561244 +500：￥1.75256 +1000：￥1.348217	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.13W Vgs(th) (Max) @ Id： 1.2V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 10V Vgs (Max)： ±12V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 281 pF @ 10 V
DMN2058U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥5.429241 +10：￥4.11265 +100：￥2.561244 +500：￥1.75256 +1000：￥1.348217	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.13W Vgs(th) (Max) @ Id： 1.2V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 10V Vgs (Max)： ±12V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 281 pF @ 10 V

DMN2058U-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	281 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.13W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）