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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN33D8LTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.847 +100：￥0.633435 +800：￥0.491139 +3000：￥0.355861 +15000：￥0.320287	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 48 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN33D8LTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.479768	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 48 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN33D8LTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.173639	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 48 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN33D8LTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT523 下载数据手册晶体管	+1：￥7.513115 +10：￥5.308179 +100：￥2.188605 +1000：￥1.633286 +3000：￥1.290297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 48 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN33D8LTQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	115mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5 欧姆 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.55 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	48 pF 5 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	240mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-523
封装/外壳:	SOT-523
温度:	-55°C # 150°C（TJ）