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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN6140LQ-13_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN6140LQ-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
+20：

￥2.219866

+100：

￥1.501247

+1000：

￥1.104125

+10000：

￥0.800173

+20000：

￥0.760001

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 315 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
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DMN6140LQ-13_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN6140LQ-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
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￥0.581988

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 315 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
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DMN6140LQ-13_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN6140LQ-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
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￥1.423696

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 315 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN6140LQ-13_未分类
DMN6140LQ-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

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未分类
+10000：

￥1.210489

+30000：

￥1.110311

+50000：

￥1.06857

+100000：

￥1.043525

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 140mOhm @ 1.8A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 700mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.6 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 315 pF @ 40 V

DMN6140LQ-13_未分类
DMN6140LQ-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

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未分类
+1：

￥4.902911

+10：

￥3.922329

+100：

￥2.671424

+500：

￥2.003568

+1000：

￥1.502676

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 140mOhm @ 1.8A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 700mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.6 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 315 pF @ 40 V

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DMN6140LQ-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

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未分类
+1：

￥4.902911

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￥3.922329

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￥2.671424

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￥2.003568

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￥1.502676

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 140mOhm @ 1.8A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 700mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.6 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 315 pF @ 40 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN6140LQ-13_未分类
DMN6140LQ-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

未分类
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￥7.130644

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￥5.008035

+100：

￥3.233665

+500：

￥2.437686

+1000：

￥1.956783

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 315 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN6140LQ-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 140 毫欧 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.6 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 315 pF 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 700mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C（TJ）