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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.219559 +100：￥0.912098 +800：￥0.707124 +3000：￥0.512435 +15000：￥0.461252	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 401 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.578614 +9000：￥0.557722 +15000：￥0.547779 +45000：￥0.526775 +75000：￥0.509569	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 401 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.535134	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 401 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.30908	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 401 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥1.197147 +6000：￥1.077434 +15000：￥0.957719 +30000：￥0.89786 +75000：￥0.796063	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 220mOhm @ 1.6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 401 pF @ 25 V
DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.379358 +10：￥4.791305 +100：￥2.711905 +500：￥1.795721 +1000：￥1.376721	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 220mOhm @ 1.6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 401 pF @ 25 V
DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.379358 +10：￥4.791305 +100：￥2.711905 +500：￥1.795721 +1000：￥1.376721	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 220mOhm @ 1.6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 401 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.420376 +10：￥4.822112 +100：￥2.732075 +500：￥1.81683 +1000：￥1.393358	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 401 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN10H220LQ-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥0.718656 +9000：￥0.679707 +24000：￥0.662118 +45000：￥0.633221	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN10H220LQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	220 毫欧 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	401 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）