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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.802818 +10：￥0.73647 +30：￥0.723207 +100：￥0.683396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.6nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 914pF 6V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+20：￥2.480863 +100：￥1.677665 +800：￥1.231538 +3000：￥0.892375 +6000：￥0.847726	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.6nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 914pF 6V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.728178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.6nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 914pF 6V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.829613	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.6nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 914pF 6V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.029451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.6nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 914pF 6V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.515089 +10：￥5.279937 +100：￥3.594157 +500：￥2.695347 +1000：￥2.021442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type B)
	DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.515089 +10：￥5.279937 +100：￥3.594157 +500：￥2.695347 +1000：￥2.021442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type B)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥6.13567 +10：￥4.477381 +100：￥2.421103 +1000：￥2.072862 +3000：￥1.873867	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.6nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 914pF 6V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN1029UFDB-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19.6nC 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	914pF 6V
功率 - 最大值:	1.4W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（B 类）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）