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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.606945 +200：￥1.76297 +800：￥1.294095 +3000：￥0.93775 +6000：￥0.890923	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta），2.6A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V，74 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V，10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V，705pF 10V 功率 - 最大值： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 下载数据手册未分类	+5：￥1.531566 +50：￥1.24702 +150：￥1.125072 +500：￥0.972964 +3000：￥0.864566	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta），2.6A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V，74 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V，10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V，705pF 10V 功率 - 最大值： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.965338 +100：￥0.89419	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta），2.6A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V，74 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V，10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V，705pF 10V 功率 - 最大值： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 下载数据手册未分类	+3000：￥10.6417 +6000：￥10.55071 +9000：￥10.459836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta），2.6A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V，74 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V，10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V，705pF 10V 功率 - 最大值： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+5：￥4.553337 +100：￥3.111269 +500：￥2.336733 +1000：￥1.749207	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta），2.6A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V，74 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V，10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V，705pF 10V 功率 - 最大值： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.80439 +200：￥1.385561 +1500：￥1.205088 +3000：￥1.047882 +45000：￥1.039547	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta），2.6A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V，74 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V，10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V，705pF 10V 功率 - 最大值： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+100：￥3.250611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta），2.6A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V，74 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V，10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V，705pF 10V 功率 - 最大值： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.925752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta），2.6A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V，74 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V，10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V，705pF 10V 功率 - 最大值： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2038LVTQ-7 Dialog 授权代理品牌	DMC2038LVTQ-7 DIALOG SEMICONDUCTOR 下载数据手册未分类	+50：￥1.615929 +500：￥1.561174 +1000：￥1.533854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.725633 +6000：￥0.695496 +9000：￥0.625934 +30000：￥0.616649 +75000：￥0.57956	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道互补型 FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta），2.6A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V，74 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V，10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V，705pF 10V 功率 - 最大值： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMC2038LVTQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 和 P 沟道互补型
FET 功能:	逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.7A（Ta），2.6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 4A，4.5V，74 毫欧 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.7nC 4.5V，10nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	530pF 10V，705pF 10V
功率 - 最大值:	800mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）