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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12 下载数据手册射频晶体管	+1：￥19.779386 +10：￥16.812466 +30：￥13.845546 +100：￥12.362086 +500：￥11.373153	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.8A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 864pF 30V 功率 - 最大值： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： V-DFN5045-12 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12 下载数据手册未分类	+1：￥10.195143 +10：￥8.730889 +30：￥7.823925 +100：￥6.88418 +500：￥6.458017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.8A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 864pF 30V 功率 - 最大值： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： V-DFN5045-12 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.8A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 864pF 30V 功率 - 最大值： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： V-DFN5045-12 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥4.163294 +6000：￥4.006792 +9000：￥3.874172	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.8A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 864pF 30V 功率 - 最大值： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： V-DFN5045-12 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥10.184521 +6000：￥9.801674 +9000：￥9.477249	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.8A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 864pF 30V 功率 - 最大值： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： V-DFN5045-12 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12 下载数据手册射频晶体管	+1：￥22.545298 +10：￥18.75939 +100：￥14.932362 +500：￥12.635011 +1000：￥10.720644	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 12-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： V-DFN5045-12
	DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12 下载数据手册射频晶体管	+1：￥22.545298 +10：￥18.75939 +100：￥14.932362 +500：￥12.635011 +1000：￥10.720644	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 12-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： V-DFN5045-12

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12 下载数据手册未分类	+1：￥25.772547 +10：￥21.558169 +100：￥17.181698 +250：￥16.371241 +500：￥14.312681	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.8A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 864pF 30V 功率 - 最大值： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： V-DFN5045-12 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHT6016LFJ-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 12-Pin VDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥8.244442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHT6016LFJ-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+3000：￥6.096764	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMHT6016LFJ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	4 个 N 通道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14.8A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	22 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	864pF 30V
功率 - 最大值:	-
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	12-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	V-DFN5045-12
温度:	-55°C # 150°C（TJ）