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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+20：￥2.259796 +100：￥1.690128 +800：￥1.310309 +3000：￥0.949487 +15000：￥0.854502	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Standard 漏源电压（Vdss）： 25V, 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA, 3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4Ohm 400mA, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.2pF 10V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 下载数据手册	+1：￥3.055392 +10：￥2.556769 +30：￥2.344589 +100：￥2.132409 +500：￥1.983883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Standard 漏源电压（Vdss）： 25V, 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA, 3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4Ohm 400mA, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.2pF 10V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.282671 +6000：￥2.135473	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Standard 漏源电压（Vdss）： 25V, 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA, 3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4Ohm 400mA, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.2pF 10V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.517069 +10：￥5.525341 +100：￥4.12417 +500：￥3.239833 +1000：￥2.503686	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-26
	DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.194122 +10：￥3.071286 +30：￥2.873138 +100：￥2.674991 +500：￥2.575917	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-26

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Standard 漏源电压（Vdss）： 25V, 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA, 3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4Ohm 400mA, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.2pF 10V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C (TJ)

DMC25D0UVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N and P-Channel
FET 功能:	Standard
漏源电压（Vdss）:	25V, 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	400mA, 3.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4Ohm 400mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.7nC 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	26.2pF 10V
功率 - 最大值:	1.2W
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C (TJ)