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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2004VK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.451618 +10：￥0.416877 +30：￥0.409932 +100：￥0.389084	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 530mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 430mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175pF 16V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -65°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2004VK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+20：￥0.996677 +100：￥0.67397 +800：￥0.494769 +3000：￥0.358523 +6000：￥0.340615	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 530mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 430mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175pF 16V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMP2004VK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.880877 +50：￥0.737054 +150：￥0.665141 +500：￥0.611207	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 530mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 430mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175pF 16V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -65°C # 150°C（TJ）

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	DMP2004VK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.384296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 530mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 430mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175pF 16V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2004VK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.721954 +6000：￥0.691933 +9000：￥0.622781 +30000：￥0.613553 +75000：￥0.576641	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 530mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 430mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175pF 16V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -65°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	DMP2004VK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.76609 +6000：￥1.692652 +9000：￥1.523487 +30000：￥1.500912 +75000：￥1.410615	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 530mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 430mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175pF 16V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -65°C # 150°C（TJ）
	DMP2004VK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.572291 +10：￥5.072094 +100：￥3.047543 +500：￥2.821229 +1000：￥1.918396	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563
	DMP2004VK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.572291 +10：￥5.072094 +100：￥3.047543 +500：￥2.821229 +1000：￥1.918396	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2004VK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 下载数据手册	+1：￥7.309829 +10：￥5.714957 +100：￥2.940546 +1000：￥2.159723 +3000：￥1.960364	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 530mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 430mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175pF 16V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -65°C # 150°C（TJ）

DMP2004VK-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	530mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	900 毫欧 430mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	175pF 16V
功率 - 最大值:	400mW
工作温度:	-65°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度:	-65°C # 150°C（TJ）