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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.375835 +200：￥1.606638 +800：￥1.179387 +3000：￥0.854623 +6000：￥0.81191	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN32D2LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+5：￥2.781306 +50：￥2.317755 +150：￥1.854204 +500：￥1.54517	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.703693 +50：￥0.582681 +150：￥0.522175 +500：￥0.476796 +3000：￥0.440492	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.683534 +9000：￥1.626001 +30000：￥1.58282 +33000：￥1.553996	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN32D2LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563
	DMN32D2LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LV-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-563 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥6.309943 +6000：￥6.246112 +9000：￥6.183838 +15000：￥6.120006 +24000：￥6.057733	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN32D2LV-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	400mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	39pF 3V
功率 - 最大值:	400mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度:	-55°C # 150°C（TJ）