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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+20：￥1.253318 +100：￥0.847121 +1000：￥0.620972 +10000：￥0.452298 +20000：￥0.429671	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 880mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 184pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+5：￥1.345762 +50：￥0.897215 +150：￥0.747659	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 880mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 184pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 下载数据手册	+1：￥0.551526 +10：￥0.447133 +30：￥0.394937 +100：￥0.35579 +500：￥0.324472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 880mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 184pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+10000：￥0.35233 +30000：￥0.330358 +50000：￥0.292906 +100000：￥0.286303	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 880mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 184pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+10000：￥0.861892 +30000：￥0.808143 +50000：￥0.716524 +100000：￥0.700373	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 880mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 184pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.836434 +10：￥4.316246 +100：￥2.440444 +500：￥1.616286 +1000：￥1.239088	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SOT-363
	DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.836434 +10：￥4.316246 +100：￥2.440444 +500：￥1.616286 +1000：￥1.239088	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SOT-363

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 下载数据手册未分类	+1：￥6.031299 +10：￥4.67075 +100：￥2.650967 +500：￥1.753285 +1000：￥1.346523	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 880mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 184pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP2200UDW-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	900mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	260 毫欧 880mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.1nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	184pF 10V
功率 - 最大值:	450mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）