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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1024UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+20：￥0.925045 +100：￥0.62557 +800：￥0.459195 +3000：￥0.33275 +6000：￥0.316173	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.38A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMG1024UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.789058 +50：￥0.632034 +150：￥0.553576 +500：￥0.494677	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.38A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG1024UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.995346	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.38A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG1024UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 下载数据手册未分类	+3000：￥0.83202 +9000：￥0.817264 +12000：￥0.802509 +30000：￥0.787753 +45000：￥0.78048	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.38A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1024UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.38A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1024UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.917071 +200：￥0.590967 +1500：￥0.514796 +3000：￥0.455294	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.38A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1024UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+10：￥0.579508 +100：￥0.481457 +500：￥0.462819 +1000：￥0.440476 +3000：￥0.425543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.38A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1024UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.477983 +9000：￥0.469996 +15000：￥0.462008 +30000：￥0.454137	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.38A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMG1024UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.706201 +6000：￥0.663416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.38A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	DMG1024UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.629611 +6000：￥1.497432 +9000：￥1.429505 +15000：￥1.352858 +21000：￥1.307269	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.38A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG1024UV-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.38A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	450 毫欧 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.74nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	60.67pF 16V
功率 - 最大值:	530mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度:	-55°C # 150°C（TJ）