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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2110U-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.782749 +100：￥0.585398 +1000：￥0.453871 +10000：￥0.328878 +50000：￥0.295966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2110U-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.383331 +50：￥0.373448 +150：￥0.36686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2110U-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.406229	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2110U-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.993743	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2110U-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1 下载数据手册未分类	+1：￥5.45718 +10：￥4.133814 +100：￥2.578517 +500：￥1.75994 +1000：￥1.364295	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP2110U-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	443 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	800mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）