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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2053U-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.925045 +100：￥0.62557 +1000：￥0.459195 +10000：￥0.33275 +20000：￥0.316173	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 414 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2053U-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.401525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 414 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2053U-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.982235	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 414 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	DMN2053U-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1 下载数据手册未分类	+1：￥6.045242 +10：￥4.280683 +100：￥1.927942 +1000：￥1.339756 +2500：￥1.30708	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 414 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2053U-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	414 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	800mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）