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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 下载数据手册射频晶体管	+20：￥0.749595 +100：￥0.506022 +800：￥0.370623 +3000：￥0.270798 +6000：￥0.257246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.430772 +6000：￥0.374594	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.053781 +6000：￥0.916357	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -
	DMN62D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.950367 +10：￥4.930303 +100：￥2.611079 +500：￥1.718239 +1000：￥1.168397	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： * 安装类型： Surface Mount 工作温度： - 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SOT-363
	DMN62D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： * 安装类型： Surface Mount 工作温度： - 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SOT-363

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 下载数据手册晶体管	+1：￥6.301522 +10：￥4.311567 +100：￥1.757794 +1000：￥1.227139 +3000：￥1.077892	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -

DMN62D0UT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	-
FET 功能:	-
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
功率 - 最大值:	-
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SOT-363
温度:	-