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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3099LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.236378 +200：￥0.835747 +800：￥0.612623 +3000：￥0.446248 +6000：￥0.423742	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 563 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP3099LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.411545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 563 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP3099LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.006746	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 563 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3099LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R 下载数据手册未分类	+3000：￥0.920664 +6000：￥0.828637 +15000：￥0.736477 +30000：￥0.690465 +75000：￥0.612285	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 65mOhm @ 3.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 563 pF @ 25 V
DMP3099LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R 下载数据手册未分类	+1：￥4.886317 +10：￥3.67831 +100：￥2.084829 +500：￥1.380928 +1000：￥1.058703	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 65mOhm @ 3.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 563 pF @ 25 V
DMP3099LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R 下载数据手册未分类	+1：￥4.886317 +10：￥3.67831 +100：￥2.084829 +500：￥1.380928 +1000：￥1.058703	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 65mOhm @ 3.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 563 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3099LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 下载数据手册未分类	+1：￥5.189723 +10：￥3.983463 +100：￥2.258231 +500：￥1.500812 +1000：￥1.150154	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 563 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3099LQ-7 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥0.77645 +6000：￥0.768912 +9000：￥0.645786 +12000：￥0.639503 +15000：￥0.628195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP3099LQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	65 毫欧 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	563 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.08W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）