DMG2305UXQ-13厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 DMG2305UXQ-13 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG2305UXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥0.584485 +1500：￥0.56975 +2500：￥0.559927 +3500：￥0.559927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 808 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG2305UXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 808 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG2305UXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.366478 +30000：￥0.359598 +50000：￥0.2978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 808 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG2305UXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.878142 +20000：￥0.81037 +30000：￥0.775641 +50000：￥0.743973	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 808 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG2305UXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥7.130644 +10：￥5.223612 +100：￥2.951756 +1000：￥1.509045 +2500：￥1.310049	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 808 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG2305UXQ-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 下载数据手册未分类	+10000：￥0.849728	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMG2305UXQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52 毫欧 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.2 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	808 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.4W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）