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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.85995 +50：￥0.694575 +150：￥0.606375 +500：￥0.5292 +1000：￥0.512663	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，2.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.582317 +200：￥1.070124 +800：￥0.785532 +3000：￥0.569184 +6000：￥0.540749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，2.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.976625 +50：￥0.790969 +150：￥0.69814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，2.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.615527 +100：￥0.559746	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，2.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.521981 +6000：￥0.492983 +15000：￥0.449513 +30000：￥0.420514 +75000：￥0.376987	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，2.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.276906 +6000：￥1.205967 +15000：￥1.099626 +30000：￥1.028687 +75000：￥0.92221	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，2.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.78533 +10：￥4.325223 +100：￥2.695688 +500：￥1.84442 +1000：￥1.418784	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-26
	DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.78533 +10：￥4.325223 +100：￥2.695688 +500：￥1.84442 +1000：￥1.418784	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-26

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 下载数据手册晶体管	+1：￥5.879829 +10：￥4.197546 +100：￥2.188605 +1000：￥1.698618 +3000：￥1.322962	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，2.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2038LVT-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥1.222191	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMC2038LVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.7A，2.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	530pF 10V
功率 - 最大值:	800mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23
温度:	-55°C # 150°C（TJ）