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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006- 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.84095 +100：￥0.5687 +1000：￥0.41745 +10000：￥0.3025 +20000：￥0.287375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 780mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250A 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.41 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 31 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006- 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.523018	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 780mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250A 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.41 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 31 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	DMN2990UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006- 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 780mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250A 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.41 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 31 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2990UFB-7B参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	780mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	990 毫欧 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.41 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	31 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	520mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X1-DFN1006-3
封装/外壳:	3-UFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）