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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN31D6UT-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.798963 +100：￥0.540265 +1000：￥0.396638 +10000：￥0.287375 +20000：￥0.272976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13.6 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN31D6UT-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.469132 +50：￥0.457457 +150：￥0.449673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13.6 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN31D6UT-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.566889 +500：￥0.377386 +5000：￥0.328535 +10000：￥0.293343 +60000：￥0.291837	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13.6 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN31D6UT-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13.6 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN31D6UT-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.581364 +30000：￥0.571076 +50000：￥0.513068 +100000：￥0.454917 +250000：￥0.444632	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13.6 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	DMN31D6UT-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 下载数据手册未分类	+1：￥5.226515 +10：￥3.527898 +100：￥2.237602 +1000：￥1.012638 +2500：￥0.865643	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13.6 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN31D6UT-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R 下载数据手册未分类	+10000：￥0.250238	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	DMN31D6UT-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R 下载数据手册未分类	+10000：￥0.250238	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN31D6UT-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	350mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 欧姆 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.35 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13.6 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	320mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-523
封装/外壳:	SOT-523
温度:	-55°C # 150°C（TJ）