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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN67D8LW-7_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN67D8LW-7
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
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￥0.50457

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￥0.34122

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￥0.1815

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￥0.172425

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.82 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-323

封装/外壳： SC-70，SOT-323

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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DMN67D8LW-7_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN67D8LW-7
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
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￥0.178977

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.82 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-323

封装/外壳： SC-70，SOT-323

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMN67D8LW-7_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN67D8LW-7
Diodes Incorporated(美台)
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.82 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-323

封装/外壳： SC-70，SOT-323

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMN67D8LW-7_未分类
DMN67D8LW-7
Diodes Incorporated(美台)
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MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.82 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-323

封装/外壳： SC-70，SOT-323

温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN67D8LW-7_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN67D8LW-7
Diodes Incorporated(美台)
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￥0.186378

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￥0.184872

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.82 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-323

封装/外壳： SC-70，SOT-323

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
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DMN67D8LW-7_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN67D8LW-7
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￥0.152864

+75000：

￥0.143331

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.82 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-323

封装/外壳： SC-70，SOT-323

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN67D8LW-7_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN67D8LW-7
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+6000：

￥0.4675

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￥0.397402

+30000：

￥0.373947

+75000：

￥0.350625

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.82 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-323

封装/外壳： SC-70，SOT-323

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMN67D8LW-7
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MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323

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未分类
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￥0.556719

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￥0.51633

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￥0.42821

+30000：

￥0.420713

+75000：

￥0.377877

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SC-70, SOT-323

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 240mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5Ohm @ 500mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 320mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-323

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.82 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 22 pF @ 25 V

DMN67D8LW-7_未分类
DMN67D8LW-7
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323

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未分类
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￥3.3657

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￥2.264198

+100：

￥1.107621

+500：

￥0.924344

+1000：

￥0.642237

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： SC-70, SOT-323

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 240mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5Ohm @ 500mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 320mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-323

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.82 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 22 pF @ 25 V

DMN67D8LW-7_未分类
DMN67D8LW-7
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323

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未分类
+1：

￥3.3657

+10：

￥2.264198

+100：

￥1.107621

+500：

￥0.924344

+1000：

￥0.642237

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： SC-70, SOT-323

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 240mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5Ohm @ 500mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 320mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-323

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.82 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 22 pF @ 25 V

DMN67D8LW-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 240mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.82 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 22 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 320mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-323
封装/外壳: SC-70，SOT-323
温度: -55°C # 150°C（TJ）