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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.232934 +200：￥1.509959 +800：￥1.10836 +3000：￥0.803198 +6000：￥0.763026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 536pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+5：￥1.737439 +50：￥1.447886 +150：￥1.158212 +500：￥0.965217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 536pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.108641 +10：￥0.909403 +30：￥0.823895 +100：￥0.738492 +500：￥0.681628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 536pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.222637 +50：￥0.932212 +1500：￥0.841454 +3000：￥0.757179 +18000：￥0.745727	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 536pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+100：￥0.82903 +300：￥0.808177 +500：￥0.794239 +700：￥0.794239	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 536pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 536pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.766575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 536pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.875247	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 536pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.714904 +10：￥3.986238 +100：￥2.768936 +500：￥2.162284 +1000：￥1.875247	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type B)
	DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.714904 +10：￥3.986238 +100：￥2.768936 +500：￥2.162284 +1000：￥1.875247	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type B)

DMP2160UFDB-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	536pF 10V
功率 - 最大值:	1.4W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（B 类）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）