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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2400UV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+20：￥1.219438 +100：￥0.824615 +1000：￥0.605363 +10000：￥0.438625 +20000：￥0.416724	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2400UV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+5：￥1.00551 +50：￥0.854744 +150：￥0.703857 +500：￥0.628474 +2500：￥0.578138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2400UV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册未分类	+5：￥0.743633 +50：￥0.616423 +150：￥0.55282 +500：￥0.505115 +2500：￥0.457411	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2400UV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册未分类	+10000：￥1.276751 +20000：￥1.254231 +30000：￥1.231608	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2400UV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.794594 +100：￥0.54883 +500：￥0.497894 +2500：￥0.462239 +5000：￥0.431678	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2400UV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+10000：￥0.346714 +30000：￥0.340184 +50000：￥0.281708	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2400UV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+10000：￥0.791245 +20000：￥0.785433 +30000：￥0.782374 +50000：￥0.758201 +70000：￥0.731274	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2400UV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.354522 +10：￥3.273908 +100：￥2.056136 +500：￥1.52497 +1000：￥1.12904	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563
	DMC2400UV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.354522 +10：￥3.273908 +100：￥2.056136 +500：￥1.52497 +1000：￥1.12904	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2400UV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册未分类	+1：￥3.979895 +10：￥2.68643 +100：￥1.392964 +1000：￥1.111056 +2500：￥0.961809	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMC2400UV-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.03A，700mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	480 毫欧 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	37.1pF 10V
功率 - 最大值:	450mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度:	-55°C # 150°C（TJ）