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DMTH6010LPS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060

晶体管-FET,MOSFET-单个

+2500:

¥3.086464

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.5A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41.3 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2090 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.6W(Ta),136W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI5060-8

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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DMTH6010LPS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060

晶体管-FET,MOSFET-单个

+2500:

¥7.550308

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.5A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41.3 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2090 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.6W(Ta),136W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI5060-8

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

DMTH6010LPS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060

晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: PowerDI5060-8

DMTH6010LPS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060

晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: PowerDI5060-8

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMTH6010LPS-13_未分类
DMTH6010LPS-13
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MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060

未分类

+1:

¥18.034657

+10:

¥16.330595

+100:

¥12.63846

+500:

¥10.45158

+1000:

¥8.2505

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.5A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41.3 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2090 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.6W(Ta),136W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI5060-8

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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DMTH6010LPS-13_未分类
DMTH6010LPS-13
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

未分类

+2500:

¥5.572679

+5000:

¥5.53012

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DMTH6010LPS-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.5A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41.3 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2090 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.6W(Ta),136W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)