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	DMS2085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.3A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.447225 +200：￥1.654917 +800：￥1.21484 +2500：￥0.880275 +5000：￥0.836231	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 3.05A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 353 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMS2085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.3A 下载数据手册未分类	+50：￥0.083898 +500：￥0.071883 +1500：￥0.062924 +5000：￥0.053016 +25000：￥0.050276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 3.05A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 353 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMS2085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.3A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.827702	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 3.05A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 353 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMS2085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.3A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 3.05A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 353 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMS2085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.3A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.509364 +5000：￥1.382386 +7500：￥1.317059 +12500：￥1.243321 +17500：￥1.199413	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 3.05A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 353 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMS2085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.3A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.354522 +10：￥3.625777 +100：￥2.447781 +500：￥1.895502 +1000：￥1.711764	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
DMS2085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.3A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.354522 +10：￥3.625777 +100：￥2.447781 +500：￥1.895502 +1000：￥1.711764	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

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	DMS2085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.3A 下载数据手册未分类	+1：￥5.969841 +10：￥4.759292 +100：￥2.470851 +1000：￥1.923616 +2500：￥1.708038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 3.05A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 353 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMS2085LSD-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-Pin SO T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥4.490095 +5000：￥4.454495 +10000：￥4.418898 +15000：￥4.383299 +20000：￥4.347699	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMS2085LSD-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, P-CH, 20V, 3.3A, SOIC 下载数据手册未分类	+5：￥3.603351 +10：￥2.875016 +100：￥1.495009 +500：￥1.367231 +1000：￥1.221567	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMS2085LSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	85 毫欧 3.05A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	353 pF 15 V
FET 功能:	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）:	1.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）