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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.256343 +100：￥0.84942 +1000：￥0.623271 +10000：￥0.452298 +20000：￥0.429671	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.62952 +50：￥0.558493 +150：￥0.522979 +500：￥0.496317 +2500：￥0.475008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.400268	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册未分类	+10000：￥0.58096	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册未分类	+10000：￥0.569676 +20000：￥0.564425 +30000：￥0.559173 +40000：￥0.553922 +50000：￥0.548784	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.738565 +100：￥0.509355 +500：￥0.462239 +2500：￥0.429132 +5000：￥0.399844	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.42058 +30000：￥0.415148 +50000：￥0.352772 +100000：￥0.347339	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥1.028849 +30000：￥1.015562 +50000：￥0.862971 +100000：￥0.849684	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.429283 +10：￥3.814786 +100：￥1.924538 +500：￥1.705939 +1000：￥1.327603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UFDFN 供应商器件封装： 3-DFN1006 (1.0x0.6)

DMN21D2UFB-7B参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	760mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	990 毫欧 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.93 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	27.6 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	380mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X1-DFN1006-3
封装/外壳:	3-UFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册未分类	+10000：￥0.58096	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册未分类	+10000：￥0.569676 +20000：￥0.564425 +30000：￥0.559173 +40000：￥0.553922 +50000：￥0.548784	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.738565 +100：￥0.509355 +500：￥0.462239 +2500：￥0.429132 +5000：￥0.399844	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）