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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥3.19561 +200：￥2.16106 +800：￥1.58631 +2500：￥1.1495 +5000：￥1.092025	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1130pF 15V 功率 - 最大值： 1.24W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+5：￥3.025726 +50：￥2.571855 +150：￥2.117984 +500：￥1.891109 +2500：￥1.739738	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1130pF 15V 功率 - 最大值： 1.24W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+3：￥1.240464 +30：￥1.077975 +90：￥1.008259 +300：￥0.921388 +1500：￥0.882705	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1130pF 15V 功率 - 最大值： 1.24W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO 下载数据手册未分类	+2500：￥1.377144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1130pF 15V 功率 - 最大值： 1.24W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.112897 +50：￥1.625306 +1250：￥1.475277 +2500：￥1.337751 +15000：￥1.325249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1130pF 15V 功率 - 最大值： 1.24W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.139479 +7500：￥3.087154 +12500：￥3.008668 +25000：￥2.956343	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1130pF 15V 功率 - 最大值： 1.24W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+100：￥1.259612 +300：￥1.227893 +500：￥1.206708 +700：￥1.206708	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1130pF 15V 功率 - 最大值： 1.24W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.492873 +7500：￥1.425037 +12500：￥1.397832 +25000：￥1.3572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1130pF 15V 功率 - 最大值： 1.24W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1130pF 15V 功率 - 最大值： 1.24W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.505774 +5000：￥1.401903 +12500：￥1.349968 +25000：￥1.29809	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1130pF 15V 功率 - 最大值： 1.24W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMC6040SSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.1A，3.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20.8nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1130pF 15V
功率 - 最大值:	1.24W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）