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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 6A SO-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.400175	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1241pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 6A SO-8 下载数据手册射频晶体管	+10：￥4.20475 +200：￥2.8435 +800：￥2.08725 +2500：￥1.5125 +5000：￥1.436875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1241pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 6A SO-8 下载数据手册射频晶体管	+5：￥2.595773 +50：￥2.143493 +150：￥1.949644 +500：￥1.636359	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1241pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 6A SO-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.706221 +100：￥1.602766	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1241pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 6A SO-8 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.298913	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1241pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 6A SO-8 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.177485	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1241pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 6A SO-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.215689 +10：￥7.235106 +100：￥5.544265 +500：￥4.382937 +1000：￥3.506245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 6A SO-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.215689 +10：￥7.235106 +100：￥5.544265 +500：￥4.382937 +1000：￥3.506245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 6A SO-8 下载数据手册未分类	+1：￥8.469433 +10：￥7.458565 +100：￥5.723697 +500：￥4.521583 +1000：￥3.62	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1241pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3028LSD-13 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO T/R 下载数据手册未分类	+1：￥7.571016 +10：￥6.64003 +25：￥6.575953 +100：￥5.040643 +250：￥4.991643	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP3028LSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.9nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1241pF 15V
功率 - 最大值:	1.3W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）