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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L 下载数据手册射频晶体管	+10：￥5.0457 +200：￥3.4122 +800：￥2.5047 +2500：￥1.815 +5000：￥1.72425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道，共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A，6.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 751pF 10V 功率 - 最大值： 2.7W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装： TO-252-4L 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.226617 +10：￥2.174102 +30：￥2.142594 +100：￥2.100582	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道，共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A，6.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 751pF 10V 功率 - 最大值： 2.7W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装： TO-252-4L 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L 下载数据手册未分类	+2500：￥1.947891	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道，共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A，6.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 751pF 10V 功率 - 最大值： 2.7W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装： TO-252-4L 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.322957 +5000：￥1.237616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道，共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A，6.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 751pF 10V 功率 - 最大值： 2.7W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装： TO-252-4L 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.236305 +5000：￥3.027538	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道，共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A，6.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 751pF 10V 功率 - 最大值： 2.7W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装： TO-252-4L 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.198006 +10：￥7.832241 +100：￥5.846308 +500：￥4.593428 +1000：￥3.549455	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 供应商器件封装： TO-252-4L
	DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.198006 +10：￥7.832241 +100：￥5.846308 +500：￥4.593428 +1000：￥3.549455	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 供应商器件封装： TO-252-4L

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L 下载数据手册未分类	+1：￥9.230336 +10：￥7.980691 +100：￥5.964217 +500：￥4.68617 +1000：￥3.621132	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道，共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A，6.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 751pF 10V 功率 - 最大值： 2.7W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装： TO-252-4L 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMC3021LK4-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道，共漏
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.4A，6.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	21 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17.4nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	751pF 10V
功率 - 最大值:	2.7W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
供应商器件封装:	TO-252-4L
温度:	-55°C # 150°C（TJ）