DN3535N8-G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3535N8-G 美国微芯(MICROCHIP) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) DN3535N8-G SOT-89-3 下载数据手册未分类	+1：￥22.47696 +10：￥14.98464 +30：￥12.4872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3535N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3535N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.3295 +200：￥3.2265 +500：￥3.11175 +1000：￥3.05775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DN3535N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.376164 +200：￥7.892873 +500：￥7.612165 +1000：￥7.480067	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DN3535N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.376164 +200：￥7.892873 +500：￥7.612165 +1000：￥7.480067	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)
DN3535N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3535N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 下载数据手册晶体管	+1：￥14.70365 +25：￥12.416416 +100：￥11.272799 +2000：￥11.272799	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3535N8-G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥9.423435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DN3535N8-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	230mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 欧姆 150mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	360 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）