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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.255998 +200：￥3.554375 +800：￥2.609123 +2500：￥1.890625 +5000：￥1.796124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 453 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.12W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.347856 +5000：￥1.260924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 453 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.12W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.297212 +5000：￥3.084555	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 453 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.12W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.350577 +10：￥7.976325 +100：￥5.956034 +500：￥4.679821 +1000：￥3.616406	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3
DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 453 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.12W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4036LK3-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥2.73718 +5000：￥2.710651 +10000：￥2.68412 +25000：￥2.656031 +50000：￥2.629502	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN4036LK3-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	36 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	453 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.12W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）