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自营 国内现货
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DMG1016VQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

射频晶体管

+3000:

¥1.036852

+6000:

¥0.96996

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 870mA,640mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60.67pF 16V

功率 - 最大值: 530mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMG1016VQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

射频晶体管

+3000:

¥2.536415

+6000:

¥2.372779

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 870mA,640mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60.67pF 16V

功率 - 最大值: 530mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMG1016VQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

射频晶体管

+1:

¥7.225446

+10:

¥6.134545

+100:

¥4.581782

+500:

¥3.599972

+1000:

¥2.781799

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

DMG1016VQ-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

Mouser
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DMG1016VQ-7_晶体管
DMG1016VQ-7
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

晶体管

+:

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+:

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 870mA,640mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60.67pF 16V

功率 - 最大值: 530mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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DMG1016VQ-7_未分类
DMG1016VQ-7
授权代理品牌

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

未分类

+3000:

¥2.084578

+6000:

¥1.9932

+9000:

¥1.918954

+24000:

¥1.87041

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DMG1016VQ-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 870mA,640mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60.67pF 16V
功率 - 最大值: 530mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: -55°C # 150°C(TJ)