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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.534823 +10：￥0.5136 +100：￥0.462665 +500：￥0.437197	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.471723 +100：￥0.995225 +800：￥0.730598 +3000：￥0.529375 +6000：￥0.502876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 下载数据手册	+1：￥0.803901 +10：￥0.661316 +30：￥0.590023 +100：￥0.536554 +500：￥0.493778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.529617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.93805	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.294718	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.187516 +50：￥0.910219 +150：￥0.85929 +500：￥0.808358 +2500：￥0.785721	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26
DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.950369 +10：￥5.043646 +25：￥4.709291 +100：￥3.768567	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26
DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.187516 +50：￥0.910219 +150：￥0.85929 +500：￥0.808358 +2500：￥0.785721	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP2130LDM-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.25V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.3 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	443 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.25W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-26
封装/外壳:	SOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）