DMP4025LSD-13厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 DMP4025LSD-13 共 24 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥8.077476 +200：￥5.462424 +800：￥4.009698 +2500：￥2.905573 +5000：￥2.760252	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.324186 +10：￥5.375546 +30：￥4.426906 +100：￥3.952586 +500：￥3.636413	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.103345 +10：￥2.742745 +30：￥2.567908 +100：￥2.382145 +500：￥2.218236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO 下载数据手册未分类	+200：￥12.848139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.479633 +7500：￥2.417121 +12500：￥2.375447 +17500：￥2.375447	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.63474 +100：￥4.335885 +1250：￥3.781961 +2500：￥3.552752 +37500：￥3.53365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.569233 +7500：￥2.504406 +12500：￥2.461226 +17500：￥2.461226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+20：￥5.60736 +100：￥4.314816 +1250：￥3.763584 +2500：￥3.535488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥5.12853 +5000：￥4.858639 +12500：￥4.498734 +25000：￥4.454157	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640pF 20V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP4025LSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 毫欧 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33.7nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1640pF 20V
功率 - 最大值:	1.8W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）