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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.368149 +10：￥3.10905 +30：￥3.057233 +100：￥2.90178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥3.898015 +200：￥2.635985 +800：￥1.934911 +2500：￥1.402148 +5000：￥1.332089	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.613786 +10：￥3.071706 +30：￥2.529626 +100：￥2.258586 +500：￥2.077933	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥3.070563 +10：￥2.447708 +30：￥2.185454 +100：￥1.846709 +500：￥1.704654	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.486485 +100：￥1.421871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO 下载数据手册未分类	+1000：￥4.668755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥1.6125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.079539 +5000：￥1.922192 +7500：￥1.841954 +12500：￥1.805807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥5.087103 +5000：￥4.702189 +7500：￥4.505908 +12500：￥4.417482	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，4.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.00384 +10：￥11.259796 +100：￥7.793125 +500：￥6.511099 +1000：￥5.54132	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

DMHC3025LSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A，4.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11.7nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	590pF 15V
功率 - 最大值:	1.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）