DMP1245UFCL-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMP1245UFCL-7 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.631712 +50：￥1.499412 +200：￥1.389162 +600：￥1.278912 +1500：￥1.190712	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.1 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1357.4 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 613mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1616-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.935581 +100：￥1.984642 +800：￥1.458413 +3000：￥1.057298 +6000：￥1.004421	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.1 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1357.4 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 613mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1616-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616 下载数据手册未分类	+1：￥2.919809 +10：￥2.405166 +30：￥2.184605 +100：￥1.91153 +500：￥1.795998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.1 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1357.4 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 613mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1616-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.508386	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.1 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1357.4 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 613mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1616-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616 下载数据手册未分类	+1：￥1.716422	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.1 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1357.4 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 613mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1616-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616 下载数据手册未分类	+1：￥2.360517 +30：￥1.54652 +100：￥1.321176 +500：￥1.201128 +1500：￥1.143895	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.1 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1357.4 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 613mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1616-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.332795 +6000：￥1.253425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.1 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1357.4 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 613mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1616-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.26037 +6000：￥3.066208	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.1 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1357.4 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 613mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1616-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.436128 +10：￥7.423793 +100：￥5.688546 +500：￥4.497106 +1000：￥3.597684	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerUFDFN 供应商器件封装： X1-DFN1616-6 (Type E)
DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.436128 +10：￥7.423793 +100：￥5.688546 +500：￥4.497106 +1000：￥3.597684	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerUFDFN 供应商器件封装： X1-DFN1616-6 (Type E)

DMP1245UFCL-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	950mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26.1 nC 8 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1357.4 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	613mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X1-DFN1616-6（E 类）
封装/外壳:	6-PowerUFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）