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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.966909 +10：￥1.9232 +30：￥1.890418 +100：￥1.857636	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 135mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥3.536274	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 135mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DN3135N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥8.650662	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 135mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DN3135N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.486945 +25：￥9.785176 +100：￥8.650662	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)
DN3135N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.486945 +25：￥9.785176 +100：￥8.650662	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA 下载数据手册未分类	+1：￥11.996446 +10：￥11.850546 +25：￥10.780592 +100：￥9.888963 +2000：￥9.888963	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 135mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 350V, 0.135A, SOT-89-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.537653 +25：￥6.42284 +100：￥5.67541 +2000：￥5.586732	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	MOSFET, N CH, 350V, 0.135A, SOT-89-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.768608 +25：￥6.612079 +100：￥5.852743	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥5.793034 +4000：￥5.745156 +6000：￥5.71643 +8000：￥5.668553 +10000：￥5.630252	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DN3135N8-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	135mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 欧姆 150mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	120 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）