DMN3053L-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMN3053L-7 共 9 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3053L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.87483 +100：￥0.654368 +800：￥0.507232 +3000：￥0.367598 +6000：￥0.349206	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 676 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 760mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3053L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.013496 +50：￥0.86152 +150：￥0.709423 +500：￥0.633435 +3000：￥0.582736	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 676 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 760mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3053L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 676 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 760mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3053L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.706389 +6000：￥0.66359	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 676 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 760mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3053L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.728014 +6000：￥1.623316	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 676 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 760mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3053L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.092042 +10：￥4.916136 +100：￥3.350625 +500：￥2.513323 +1000：￥1.885134	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
DMN3053L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.003909 +50：￥0.785531 +150：￥0.745421 +500：￥0.705311 +2500：￥0.687484	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3053L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥5.750774 +10：￥4.656724 +100：￥3.169939 +500：￥2.384468 +1000：￥1.781337	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 676 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 760mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3053L-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥4.656314 +10：￥3.843332 +25：￥3.804321 +100：￥2.421784 +250：￥2.232971	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN3053L-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	676 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	760mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）