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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMP2039UFDE4-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
DMP2039UFDE4-7
授权代理品牌
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¥2.294727

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¥2.24009

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¥2.207309

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 6.4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2530 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 690mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: X2-DFN2020-6

封装/外壳: 6-PowerXDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMP2039UFDE4-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥1.190717

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¥1.130231

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¥1.049438

+30000:

¥1.029697

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 6.4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2530 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 690mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: X2-DFN2020-6

封装/外壳: 6-PowerXDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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DMP2039UFDE4-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥2.912807

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¥2.764845

+9000:

¥2.567201

+30000:

¥2.518912

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 6.4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2530 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 690mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: X2-DFN2020-6

封装/外壳: 6-PowerXDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMP2039UFDE4-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥8.667222

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¥7.382618

+100:

¥5.133783

+500:

¥4.008902

+1000:

¥3.258413

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-PowerXDFN

供应商器件封装: 6-DFN2020 (2x2)

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¥5.133783

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¥4.008902

+1000:

¥3.258413

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-PowerXDFN

供应商器件封装: 6-DFN2020 (2x2)

Mouser
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DMP2039UFDE4-7_未分类
DMP2039UFDE4-7
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MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN

未分类

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¥9.792986

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¥8.341526

+100:

¥5.805842

+500:

¥4.529255

+1000:

¥3.689857

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 6.4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2530 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 690mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: X2-DFN2020-6

封装/外壳: 6-PowerXDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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DMP2039UFDE4-7_未分类
DMP2039UFDE4-7
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MOSFET, P-CH, 25V, 7.3A, X2-DFN2020

未分类

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¥5.419475

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¥4.686012

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¥3.504323

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¥2.757277

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¥2.376963

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货期:7~10 天

暂无参数
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DMP2039UFDE4-7_未分类
DMP2039UFDE4-7
授权代理品牌

MOSFET, P-CH, 25V, 7.3A, X2-DFN2020

未分类

+1:

¥5.665791

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¥4.890872

+100:

¥3.658627

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¥2.883711

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¥2.019867

库存: 0

货期:7~10 天

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DMP2039UFDE4-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 6.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28.2 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2530 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 690mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: X2-DFN2020-6
封装/外壳: 6-PowerXDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)