DMN2004DWK-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 DMN2004DWK-7 共 18 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.765786 +10：￥0.706879 +30：￥0.695094 +100：￥0.659748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+20：￥0.802835 +100：￥0.600523 +800：￥0.465487 +3000：￥0.337348 +15000：￥0.303589	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 下载数据手册未分类	+1：￥1.6828 +10：￥1.070872 +30：￥0.808618 +100：￥0.4808 +500：￥0.338745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.670703	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥0.388962 +6000：￥0.375997 +9000：￥0.366273 +15000：￥0.363031	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）
	DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.385721	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 下载数据手册	+3000：￥0.419472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.791303 +6000：￥0.729077 +9000：￥0.69712 +15000：￥0.661035 +21000：￥0.656657	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.935737 +6000：￥1.783516 +9000：￥1.70534 +15000：￥1.617067 +21000：￥1.606357	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 200mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -65°C # 150°C（TJ）
	DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.037372 +10：￥4.666084 +100：￥3.160698 +500：￥2.464917 +1000：￥2.23406	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SOT-363

DMN2004DWK-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	540mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	550 毫欧 540mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	150pF 16V
功率 - 最大值:	200mW
工作温度:	-65°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SOT-363
温度:	-65°C # 150°C（TJ）