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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+20：￥0.751773 +100：￥0.508442 +800：￥0.373164 +3000：￥0.270435 +6000：￥0.256883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.33A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+5：￥1.791163 +50：￥1.492656 +150：￥1.194149 +500：￥0.995104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.33A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.7106 +50：￥0.626351 +150：￥0.613129 +500：￥0.593133	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.33A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.606119	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.33A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.482726	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.33A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.650819 +10：￥5.022047 +100：￥3.129957 +500：￥2.141835 +1000：￥1.647504	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563
	DMN2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.650819 +10：￥5.022047 +100：￥3.129957 +500：￥2.141835 +1000：￥1.647504	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 下载数据手册未分类	+1：￥6.872876 +10：￥5.189723 +100：￥3.240071 +500：￥2.216152 +1000：￥1.711206	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.33A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 16V 功率 - 最大值： 530mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2400UV-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.33A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	480 毫欧 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	36pF 16V
功率 - 最大值:	530mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度:	-55°C # 150°C（TJ）