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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMN5L06VK-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

射频晶体管

+1:

¥1.079572

+10:

¥0.917997

+30:

¥0.84872

+100:

¥0.779443

+500:

¥0.733294

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 50mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 25V

功率 - 最大值: 250mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMN5L06VK-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

射频晶体管

+1:

¥0.788557

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 50mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 25V

功率 - 最大值: 250mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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DMN5L06VK-7_射频晶体管
DMN5L06VK-7
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

射频晶体管

+100:

¥3.05613

+300:

¥2.979727

+9100:

¥2.928791

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 50mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 25V

功率 - 最大值: 250mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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DMN5L06VK-7_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 50mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 25V

功率 - 最大值: 250mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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DMN5L06VK-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 50mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 25V

功率 - 最大值: 250mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMN5L06VK-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

DMN5L06VK-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

射频晶体管

+1:

¥1.360459

+10:

¥1.047094

+30:

¥0.989634

+100:

¥0.93203

+500:

¥0.90654

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

Mouser
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DMN5L06VK-7_未分类
DMN5L06VK-7
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

未分类

+1:

¥5.649946

+10:

¥4.614123

+100:

¥3.154553

+1000:

¥1.773456

+3000:

¥1.616512

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 50mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 25V

功率 - 最大值: 250mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMN5L06VK-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 280mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 25V
功率 - 最大值: 250mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: -55°C # 150°C(TJ)