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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.223545 +10：￥2.567908 +30：￥2.294727 +100：￥1.945054 +500：￥1.781145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.78A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24mOhm 7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 608 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.17W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+117：￥0.820806 +1000：￥0.820806	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.78A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24mOhm 7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 608 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.17W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+117：￥1.418351 +1000：￥1.418351	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.78A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24mOhm 7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 608 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.17W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 150°C (TJ)
DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+117：￥1.418351 +1000：￥1.418351	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3
DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+117：￥1.418351 +1000：￥1.418351	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.78A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24mOhm 7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 608 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.17W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 150°C (TJ)

DMN3024LK3-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.78A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24mOhm 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	608 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.17W (Ta)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	TO-252-3
封装/外壳:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
温度:	-55°C # 150°C (TJ)