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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMT69M8LSS-13_null
DMT69M8LSS-13
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

+1:

¥1.577452

+10:

¥1.327186

+30:

¥1.219929

+100:

¥1.112672

+500:

¥1.041167

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 毫欧 13.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.5 nC 10 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1925 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMT69M8LSS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥1.864061

+10:

¥1.378892

+30:

¥1.289894

+100:

¥1.200752

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 毫欧 13.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.5 nC 10 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1925 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMT69M8LSS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥1.864061

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¥1.378892

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¥1.200752

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¥1.16115

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

DMT69M8LSS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
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MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

晶体管-FET,MOSFET-单个

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

DMT69M8LSS-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 毫欧 13.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.5 nC 10 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1925 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)